据报道，法国研究机构Leti of CEA Tech研发出一个生产高性能氮化镓Micro led显示屏的新工艺。相比现有方法，这项新工艺更简单且更高效。
新工艺的第一步是将Micro LED芯片直接转移到CMOS晶圆上。第二步是把由CMOS驱动电路和Micro LED芯片组成的每个完整像素点转移到显示基板上。
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研究员指出，CMOS驱动器具备高性能，可以制造更多种类的Micro led显示屏，从小尺寸可穿戴显示器到大尺寸电视面板都能实现。
据称，单个LED-CMOS单元是通过全半导体和晶圆级方法制造的，最终制成的显示器不需要使用TFT（薄膜晶体管），这也是新工艺技术的另一个优点。
目前，如何提高驱动电子的性能是制造Micro LED的一个挑战，这需要更多功率来实现更加明亮的图像，以及更快的速度来应对不断增长的高显示分辨率需求。
CEA-Leti研发的新工艺能够通过简化的转移工艺来制造基于CMOS的高性能氮化镓Micro LED显示器，无需TFT背板。RGB Micro LED直接堆叠在微CMOS电路上，然后每个单元被转移至简单的接收基板上。最后，在单个半导体线上完成RGB Micro LED和背板的制造。
CEA-Leti光学器件战略营销经理François Templier表示，这项基于CMOS的工艺能够生产出更高亮度和更高分辨率的Micro LED显示器，可改变大型电视制造领域的“游戏规则”。
据悉，5月14日，CEA-Leti在2019显示周上展示了这项突破性技术。
信息来源 3qled 显示之家
